蕭企成功制備3英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底

今年7月，蕭經(jīng)開杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司在氧化鎵晶體生長與襯底加工技術(shù)上取得突破性進展，成功制備出3英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底，為目前國際上已報道的最大尺寸，達(dá)到國際領(lǐng)先水平。

在氧化鎵單晶襯底常見的主流晶面中，（010）襯底在物理特性和外延方面具有出色的表現(xiàn)。（010）襯底熱導(dǎo)率最高，有利于提升功率器件性能，且具有較快的外延生長速率。同時，基于（010）襯底制備的器件具有更優(yōu)異的性能。目前，鎵仁半導(dǎo)體推出晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底產(chǎn)品，該產(chǎn)品面向科研市場，滿足科研領(lǐng)域?qū)Γ?10）襯底的需求，促進業(yè)內(nèi)產(chǎn)學(xué)研協(xié)同合作。

杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司主要從事氧化鎵等半導(dǎo)體單晶材料的研發(fā)與生產(chǎn)，開創(chuàng)了氧化鎵單晶生長新技術(shù)，已獲批國家級科技型中小企業(yè)、浙江省創(chuàng)新型中小企業(yè)等稱號，并牽頭獲批浙江省科技廳“領(lǐng)雁”計劃等多個項目，致力于氧化鎵上游產(chǎn)業(yè)鏈的持續(xù)創(chuàng)新，具有雄厚的生產(chǎn)研發(fā)實力。

此前，鎵仁半導(dǎo)體聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進半導(dǎo)體研究院、硅及先進半導(dǎo)體材料全國重點實驗室，采用楊德仁院士團隊自主開創(chuàng)的鑄造法成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵（β-Ga2O3）單晶襯底。2024年4月，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司推出了新產(chǎn)品2英寸晶圓級（010）氧化鎵半絕緣單晶襯底，并實現(xiàn)了2英寸（010）氧化鎵單晶襯底的自主量產(chǎn)，打破了國際壟斷。